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一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺；步骤为：在硅片衬底上、下表面均形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除上、下表面第一二氧化硅薄膜层的隔离带区域；对隔离带区域进行硼掺杂形成第一P+区，在上下方向贯通形成隔离墙，在硅片衬底中隔离出四间隔块；形成...
该专利属于苏州固锝电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州固锝电子股份有限公司授权不得商用。

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