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本发明提供了一种场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管制备方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层表面；在所述二维半导体沟道层的两侧制备源...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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