下载用于使用自对准双图案化来切割密集线图案的方法和结构的技术资料

文档序号:21805478

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用于形成半导体结构的方法的实施例包括:在衬底上沉积绝缘层,在绝缘层上沉积第一介电质层,并在第一介电质层上形成多个心轴线。所述方法还包括:以第一掩模形成一组或多组不连续心轴线对,其中一组或多组中的每组包括2N个不连续心轴线对、以及间隙线与间隙...
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