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功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法技术
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下载功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法的技术资料
文档序号:21801755
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公开了功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法。该方法包括:在半导体衬底中形成沟槽;在沟槽中形成栅极绝缘膜和栅电极;将第一导电类型杂质注入至半导体衬底中,以形成第一导电类型基体区;将第二导电类型杂质注入至半导体衬底的表面上,以形成第二导...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。
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