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一种半导体装置的形成方法包含提供具有基底、鳍片及栅极结构的结构；执行一布植制程，以将掺质布植至邻近栅极结构的鳍片中；及形成栅极侧壁间隔物和鳍片侧壁间隔物。此方法还包含执行第一蚀刻制程，以凹蚀邻近栅极侧壁间隔物的鳍片，而保留鳍片的至少一部分于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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