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本发明公开了在形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠之后，可以穿过所述交替堆叠来形成存储器开口，所述存储器开口随后被填充有柱状半导体基座部分和存储器堆叠结构。通过在移除所述牺牲材料层以形成背侧凹陷部之后选择性地沉积半导体材料，可以通过生长横向突出...
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