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利用双面处理的逻辑电路块布局制造技术
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下载利用双面处理的逻辑电路块布局的技术资料
文档序号:21781492
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一种集成电路器件可以包括由隔离层(620)的背面支撑的p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。集成电路器件还可以包括由隔离层的与背面相对的正面支撑的n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。集成电路器件可以进一步包括共享接触部(640),其延...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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