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本实用新型提供了一种提高正向光的LED芯片，涉及半导体发光器件机制备技术领域，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；其中，N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型...
该专利属于厦门理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过厦门理工学院授权不得商用。

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