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本申请公开了一种复合栅双极型晶体管器件，包括半导体衬底、空穴积累层、P型基区、沟槽区、栅氧化层、复合栅电极、虚拟沟槽栅、N+发射极区、P+深阱区、绝缘介质层、发射极电极、N型场终止区、P型集电极区和集电极，空穴积累层、P型基区形成于半导体衬...
该专利属于上海擎茂微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海擎茂微电子科技有限公司授权不得商用。

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