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本实用新型涉及一种具有SOI（Silicon on Insulator，绝缘体上硅）结构的漏电过程自控的动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）单元。其结构主要包括阵列访问晶体管，存储电容，以及隔...
该专利属于刘文剑所有，仅供学习研究参考，未经过刘文剑授权不得商用。

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