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本实用新型涉及一种具有漏电过程自控能力的凹入式沟道（Recessed Channel）动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）单元。其结构主要包括凹入式沟道(Recessed Channel)鳍式...
该专利属于刘文剑所有，仅供学习研究参考，未经过刘文剑授权不得商用。

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