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本发明公开了一种被配置为包装半导体器件的中子屏蔽包装体。中子屏蔽包装体通过在半导体器件的空运期间与中子碰撞来减少在半导体器件中引起的电离总剂量TID缺陷。中子屏蔽包装体包括氢和硼。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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