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本公开针对制造磁阻设备的示例性方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退...
该专利属于艾沃思宾技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾沃思宾技术公司授权不得商用。

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