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本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的经济有效的方法。所述元件具有基板(61)以及在5nm和20nm之间的范围中的工作波长处反射的涂层(62)，并且由于形成氢气泡而被损坏。该方法包括以下步骤：在涂层(62)中定位损坏区域(63、64、...
该专利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡尔蔡司SMT有限责任公司授权不得商用。

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