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一种ReRAM单元阵列具有行和列，并且包括用于每一行的第一和第二互补位线，用于每一列的第一、第二和第三字线以及用于每一行的源极位线。位于每一行和每一列的ReRAM单元包括：第一电阻式存储器元件，其第一端连接到其行的第一互补位线；p沟道晶体管...
该专利属于美高森美SOC公司所有，仅供学习研究参考，未经过美高森美SOC公司授权不得商用。

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