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本发明涉及半导体设备制造技术领域，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备，包括：腔室，设有进气口；第一电极板和第二电极板，相向间隔设置在腔室内部，且第一电极板与射频电源连接，第二电极板接地，第一电极板上成型有多个允许通...
该专利属于云谷（固安）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云谷（固安）科技有限公司授权不得商用。

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