【技术实现步骤摘要】
等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备
本专利技术涉及半导体设备制造
，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备。
技术介绍
在等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition；PECVD)制程中膜厚均一性是一项重要参数，而膜厚均一性的好坏一定程度上取决于腔室内气体浓度分布。目前主流的CVD供气系统中腔室内气体相对浓度的分布是相对固定的，不能根据实际需要改变腔室内不同位置的气体相对浓度；同时，在清洗过程中清洗气体分布也存在此现象，易造成边缘清洗不干净。在横向电场中虽然可以通过更换不同孔径的杆以达到改变腔室内相应位置的气体相对浓度的目的，但是需要频繁开腔操作，操作不便。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术的腔室中的气体相对浓度不能根据需要及时改变，开腔操作不便的缺陷，从而提供一种不需开腔操作即可实时改变腔室中的气体相对浓度的等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构，包括：...
【技术保护点】
1.一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构，其特征在于，包括：腔室(1)，设有进气口；第一电极板(2)和第二电极板(3)，相向间隔设置在所述腔室(1)内部，且所述第一电极板(2)与射频电源连接，所述第二电极板(3)接地，所述第一电极板(2)上成型有多个允许通过所述进气口进入所述腔室(1)中的气体通过的第一通孔(21)；多个移动组件(4)，所述移动组件(4)包括可在所述第一电极板(2)表面运动的板体(41)和与所述板体(41)连接、用于驱动所述板体(41)运动的驱动件(42)，所述板体(41)具有在所述驱动件(42)的作用下运动至部分覆盖所述第一通孔(21)的遮挡位置和在所述...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构，其特征在于，包括：腔室(1)，设有进气口；第一电极板(2)和第二电极板(3)，相向间隔设置在所述腔室(1)内部，且所述第一电极板(2)与射频电源连接，所述第二电极板(3)接地，所述第一电极板(2)上成型有多个允许通过所述进气口进入所述腔室(1)中的气体通过的第一通孔(21)；多个移动组件(4)，所述移动组件(4)包括可在所述第一电极板(2)表面运动的板体(41)和与所述板体(41)连接、用于驱动所述板体(41)运动的驱动件(42)，所述板体(41)具有在所述驱动件(42)的作用下运动至部分覆盖所述第一通孔(21)的遮挡位置和在所述驱动件(42)的作用下运动至使所述第一通孔(21)完全暴露的敞开位置。2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积的腔室结构，其特征在于，相邻两个板体(41)之间预留有间隙。3.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积的腔室结构，其特征在于，所述板体(41)上成型有多个与所述第一通孔(21)孔径相同的第二通孔(411)，且所述第二通孔(411)和所述第一通孔(21)一一对应设置，所述板体(41)具有在所述驱动件(42)的作用下运动至使所述第二通孔(411)部分偏离所述第一通孔(21)的第一位置和在所述驱动件(42)的作用下运动至使所述第二通...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，孟慧文，陈政，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13
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