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根据实施例，用包括铝(Al)、锆(Zr)、铪(Hf)和硅(Si)中的一种或多种的掺杂剂掺杂存储器单元的储存元件、选择器元件或两者可以使相变存储器中的体积变化或密度变化最小化并使电迁移最小化。在一个实施例中，存储器单元包括第一电极和第二电极；...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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