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本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制备方法，更详细地，包含在半导体制备工序中进行湿式蚀刻的情况下，对氧化膜的蚀刻率进行最小化的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物...
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