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本发明涉及薄膜表面粗化速率领域，具体涉及一种原位大范围调控薄膜表面粗化速率的方法，包括样品材料，所述样品材料选用氮化铪，在制备过程中，通过采用磁控共溅射的方法，引入非晶层，利用非晶包裹作用阻碍上坡扩散进而获得低的粗化速率；本发明将增原子扩散...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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