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本发明公开了一种低击穿电压放电管及其制造方法，该放电管由集成于一个芯片的二极管、三极管、可控硅组成，三极管的BVCEO实现器件的低击穿电压，并由三极管击穿后产生的电流为可控硅提供门极驱动电流。本发明使得放电管具有更低的（3.3‑5.7V）的...
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