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本发明公开了一种半导体组件的制作方法，包括提供一基板，在基板上形成一牺牲层，在牺牲层上设置多个第一芯片，然后形成一第一介电层，且第一介电层包围所述多个第一芯片，在该第一介电层中形成多个沟槽，以及在沟槽中形成一第二介电层。其中第一介电层的上表...
该专利属于群创光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过群创光电股份有限公司授权不得商用。

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