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本发明提供一种石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将单层石墨烯样品放入样品制备真空腔内进行加热，真空度为5...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学授权不得商用。