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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:21584063
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本发明提供一种可以降低贯通电极部分的寄生电容的半导体装置及其制造方法。第2芯片层叠在第1芯片的第1配线层侧。第2芯片包含:第2半导体层,具有与第1配线层对向的第2电路面、及第2电路面的相反侧的第2背面;第2配线层,设置在第2电路面并与第1芯...
该专利属于东芝存储器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。
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