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本发明为一种铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的制备方法。该方法利用磁控溅射法，将W靶溅射功率调至95‑110W，打开基片旋转控制开关，打开基片挡板，通氧溅射WO3薄膜，20min后，关闭氧气；将Al靶溅射功率调至40‑42W，溅射Al薄膜...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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