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本发明的一种用于真空磁控溅射的铝银合金靶材及其制备方法。靶材包括组分及质量百分含量为39.0～70.0wt.％Al，29.0～60wt.％Ag，0.3～0.5wt.Zn％，0.1～0.3wt.％Mn，0.1～0.2wt.％Si，0.05～0...该专利属于沈阳东创贵金属材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳东创贵金属材料有限公司授权不得商用。
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本发明的一种用于真空磁控溅射的铝银合金靶材及其制备方法。靶材包括组分及质量百分含量为39.0～70.0wt.％Al，29.0～60wt.％Ag，0.3～0.5wt.Zn％，0.1～0.3wt.％Mn，0.1～0.2wt.％Si，0.05～0...