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本发明公开了一种功率晶片覆晶封装结构及其封装方法，功率晶片覆晶封装结构，包含功率晶片及底座单元。功率晶片包含第一表面及第一导电部，第一导电部位于第一表面。底座单元供设置功率晶片且包含本体、凹槽及至少一个导电路径，本体具有第三表面，凹槽凹设于...
该专利属于黄斐琪;邱宏威所有，仅供学习研究参考，未经过黄斐琪;邱宏威授权不得商用。

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