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单层二硫化钼剪切模量的分子力学计算方法技术
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文档序号:21548281
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本发明属于计算二维纳米材料技术领域,提供了一种单层二硫化钼剪切模量的分子力学计算方法。本发明方法首先构建了在剪切载荷下的分子力学理论模型,推导了表征任意尺寸单层二硫化钼剪切模量的解析表达式并得到其剪切模量。此外,本发明方法通过测定不同特征尺...
该专利属于大连理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过大连理工大学授权不得商用。
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