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一种超结MOSFET终端结构，包括：N型重掺杂衬底及形成于其上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层包括元胞区及终端区；所述元胞区中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N型轻掺杂外延层中的一对元胞区P柱；该一对元胞区P柱...该专利属于深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司授权不得商用。