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本发明公开了一种QLED器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在阴极上制备量子点发光层；通过雾化的方法在量子点发光层上制备第一界面层，所述第一界面层为金属氧化物层或有机聚合物层；在第一界面层上制备阳极，得到QLED器件。本发明通过雾化的...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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