温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供一种晶体管和半导体存储器，所述晶体管具有沿第二方向延伸的鳍片，第一掺杂区形成在所述鳍片的竖直鳍片部的顶端中，第二掺杂区形成在所述鳍片的水平直鳍片部中，第一栅极设置在所述水平直鳍片部上并沿所述第一方向延伸，由此使得所述第一掺杂区...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。