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本实用新型提供一种高ESD能力的低正向肖特基器件，其包括：衬底层、外延层、中间薄层、填充层以及欧姆接触层；外延层形成于衬底层的正面，外延层上设置有连续排列的沟槽结构，任一沟槽结构自外延层的表面纵向凹陷形成，任一沟槽结构的四周侧面保持垂直，沟...
该专利属于张家港意发功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港意发功率半导体有限公司授权不得商用。

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