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本公开提供一种半导体结构，包括：堆叠结构，堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层晶圆或芯片包括衬底和布线层，布线层包括多条金属导线；m个硅通孔，穿透堆叠结构，硅通孔位于金属导线之间，硅通孔包括：第一部分，具有小于金属导线的间距的第一直径；第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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