温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在公开的方法中，在微结构上形成掩模。该掩模包括定位于所述微结构的第一区域之上的第一图案以及定位于所述微结构的第二区域之上的第二图案。执行第一蚀刻工艺以根据掩模中形成的第一和第二图案来蚀刻微结构。第一蚀刻工艺分别将掩模的第一和第二图案转移到微...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。