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本申请实施例提供一种半导体器件及制作方法，通过在衬底上依次形成由氮化镓材料制成的沟道层及势垒层之后，基于形成于势垒层的欧姆接触区制备贯穿势垒层的通孔以暴露出部分沟道层。然后，在势垒层上沉积多层欧姆金属层，沉积的多层欧姆金属层通过通孔与沟道层...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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