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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有凸出于衬底表面的鳍部，鳍部顶部具有至少一组堆叠结构，其中，每组堆叠结构的堆叠方向垂直衬底表面，每组堆叠结构包括第一牺牲层以及位于第一牺牲层顶部的半导体层；形成横跨堆叠结构的部分顶...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。