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BaZrS3薄膜及其制备方法及其应用技术
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文档序号:21473281
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本发明属于材料技术领域,提供了一种BaZrS3薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤S1、以BaZrO3作为反应材料,对其进行硫化处理制成靶材;步骤S2、利用步骤S1获得的靶材进行镀膜处理;步骤S3、对步骤S2获得的产物进行二次硫化处理。本发明...
该专利属于扬州旭磁智能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州旭磁智能科技有限公司授权不得商用。
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