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提供了使用原子层沉积形成高模量氧化硅间隔物的方法和装置。方法包括在高温下沉积，使用高等离子体能量，以及使用紫外线辐射对沉积的氧化硅进行后处理。这种氧化硅隔离物适合用作多个图案化应用中的掩模以防止间距行走。...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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