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本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括上沟槽电极和下沟槽电极，上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面；上沟槽电极内嵌有上中央电极，上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体；下沟槽电极内嵌有下中央电...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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