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公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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