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本文公开的是抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置，具体公开了采用次级清扫的用途在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括使膜前体流入处理室并使所述膜前体吸附到所述处理室中的衬底，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层。该方法还可以包括通过用...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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