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本发明公开了一种光电探测器及制备方法，本发明的光电探测器从下到上依次为衬底层、电极层、NiO:Cu薄膜、光敏层、n型导电层、电极；所述的NiO:Cu薄膜中的Cu摩尔含量在1‑20％，NiO:Cu薄膜中的薄膜厚度为5‑40纳米。本发明中采用C...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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