一种光电探测器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电探测器及制备方法，本发明专利技术的光电探测器从下到上依次为衬底层、电极层、NiO:Cu薄膜、光敏层、n型导电层、电极；所述的NiO:Cu薄膜中的Cu摩尔含量在1‑20％，NiO:Cu薄膜中的薄膜厚度为5‑40纳米。本发明专利技术中采用Cu掺杂的NiO薄膜其在载流子迁移率有5个数量级的提高，同时Cu的引入使NiO薄膜带隙减小，更有利于光敏层中的载流子对外传输。进一步，Cu掺杂的NiO薄膜因其极高的载流子迁移率，保证了其可以做的很薄，根本上减少p型层对光的吸收，增加器件整体的光电响应能力。

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器及制备方法
本专利技术涉及一种光电探测器及制备方法。具体涉及一种基于铜(Cu)掺杂氧化镍(NiO)薄膜作为p-型层的光电探测器制备。
技术介绍
二极管型光电探测器结构基本组成为p-i-n型材料搭配组成，因此稳定、高效的功能层材料是制备高光电响应能力的探测器的核心关键。目前，主流的p-型材料主要以掺杂的硅组成，但是硅由于其本征性能的限制很难兼容柔性、透明器件。另一类主流的p-型材料主要基于有机材料，例如TPD、PEDOT:PSS、PVK、TFB等，但是这类有机p-型材料其稳定性是最大的限制，室外工作稳定性较差。NiO作为无机p-型材料的典型代表，在之前的光电探测器研究中一度引起研究者的极大关注，但是本征的NiO薄膜其载流子迁移率极低(<10-5cm2V-1s-1)导致器件的整体性能较差。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提供了一种基于Cu掺杂的无机NiO薄膜作为p-型层的光电探测器，可以整体提高器件的稳定性及光电响应能力；具体为提出了一种光电探测器及制备方法。一种光电探测器，从下到上依次为衬底层、电极层、NiO:Cu薄膜、光敏层、n型导电层、电极；所述的Ni本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于：从下到上依次为衬底层、电极层、NiO:Cu薄膜、光敏层、n型导电层、电极；所述的NiO:Cu薄膜中的Cu摩尔含量在1‑20％，NiO:Cu薄膜中的薄膜厚度为5‑40纳米。

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于：从下到上依次为衬底层、电极层、NiO:Cu薄膜、光敏层、n型导电层、电极；所述的NiO:Cu薄膜中的Cu摩尔含量在1-20％，NiO:Cu薄膜中的薄膜厚度为5-40纳米。2.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述的NiO:Cu薄膜采用溅射、电镀、溶胶-凝胶或低温燃烧法获得。3.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述的衬底层为硅、石英片、玻璃片、蓝宝石或柔性P...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕燕飞，翁嘉鑫，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33