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半导体结构与其制作方法技术
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文档序号:21402705
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本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该方法包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程,结构层的制作过程包括:多个沉积步骤,沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层,预结构子层的厚度在100~400n...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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