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本发明提供一种双埋层MOS栅控晶闸管及制备方法，所述双埋层MOS栅控晶闸管包括：衬底和漂移区；从下至上依次在漂移区中设置有双N埋层、表面结构；设置在表面结构上端面的阴极和栅极、以及衬底下端面的阳极。本发明能够提升器件开启速度、抑制基区电阻控...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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