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本发明公开了一种SRAM的存储单元结构，主体结构由两个NMOS管和六个PMOS管组成，2个传输管都为PMOS管；第一NMOS管和第二PMOS管的漏极、第五PMOS管和第二NMOS管的栅极都连接Q节点；第二NMOS管和第三PMOS管的漏极、第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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