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一种石墨烯基场效应晶体管硝酸盐传感器制造技术
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文档序号:21340342
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本发明涉及一种石墨烯基场效应晶体管硝酸盐传感器,包括栅极(4)、源极(5)和漏极(6),所述栅极(4)为硅片,表面覆有氧化硅层(3),所述氧化硅层(3)表面形成所述源极(5)和漏极(6),所述源极(5)和漏极(6)通过石墨烯纳米片层(2)相...
该专利属于同济大学所有,仅供学习研究参考,未经过同济大学授权不得商用。
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