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本发明涉及一种IGBT及其制造方法。所述IGBT包括：衬底；第一导电类型基极；沟槽，开设于第一导电类型基极表面并向下延伸；第一导电类型缓冲区，设于第一导电类型基极内、沟槽两侧；集电极掺杂区，设于第一导电类型缓冲区内、沟槽两侧；第二导电类型基...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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