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本发明提供了一种改善SiC逆变器可靠性的驱动方法与系统，其属于使用主动驱动电路调节SiC逆变器各功率单元中功率器件结温的方法，具体通过包括低频判断、结温均衡控制和结温平滑控制的步骤1～7计算出所需的结温温升和电路参数，从而提升或降低逆变器中...
该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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