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本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，包括半导体基材、底部绝缘层、第一导电层、多个第二导电层、接触插塞、通道层以及存储层。底部绝缘层位于半导体基材上。第一导电层是一选择性外延生长层，位于底部绝缘层之上。多个绝缘层位于底部绝缘层之上。多个第...
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